一种薄膜二极管及其串联结构
基本信息
| 申请号 | CN201611032372.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106783969B | 公开（公告）日 | 2019-12-10 |
| 申请公布号 | CN106783969B | 申请公布日 | 2019-12-10 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）; H01L29/868（2006.01）; H01L25/03（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韦韬 | 申请（专利权）人 | 派微电子（嘉兴）有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 嘉兴爱禾电子有限公司;派微电子（嘉兴）有限公司 |
| 地址 | 314006 浙江省嘉兴市亚太路778号8号楼三层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于薄膜半导体二极管技术领域，公开了一种薄膜二极管，包括：薄膜二极管本体以及位于所述薄膜二极管本体低掺杂漂移区上的场板；所述场板与所述薄膜二极管本体的阳极相连；其中，在正向偏压状态下，施加于所述阳极的正电源偏置所述场板；在反向偏压状态，施加于阴极的负电压偏执所述场板。本发明提供一种具备良好抑制正向偏压电阻和反向漏电流性能，且结构简单的薄膜二极管。 |
