具有双电荷存储结构的像素单元、具有双电荷存储结构的图像传感器芯片以及成像系统

基本信息

申请号 CN201920249460.6 申请日 -
公开(公告)号 CN210692538U 公开(公告)日 2020-06-05
申请公布号 CN210692538U 申请公布日 2020-06-05
分类号 H01L27/146(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐渊;陈志勇;陈享;黄志宇 申请(专利权)人 光微信息科技(合肥)有限公司
代理机构 深圳快马专利商标事务所(普通合伙) 代理人 深圳市光微科技有限公司
地址 518000广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城10栋1楼102房
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供具有双电荷存储结构的像素单元、具有双电荷存储结构的图像传感器芯片以及成像系统,具有双电荷存储结构的像素单元包括:衬底;光电二极管;第一电压信号输出模块,包括第一开关,第一开关在接收到控制信号时输出电压信号;第二电压信号输出模块,包括第二开关,第二开关在接收到控制信号时输出电压信号;其中,设置发送到第一开关的控制信号与调制光的相位相同,设置发送到第二开关的控制信号与发送到调制光的相位互补,在接收到反射光后获取不同相位下第一电压信号输出模块和第二电压信号输出模块输出的电压信号,计算得出调制光的飞行时间。本申请能够提升像素单元的反应速度,并且可以测量不同的距离,测量精度也比较高。