具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置
基本信息
| 申请号 | CN201921775237.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211529954U | 公开（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申请公布号 | CN211529954U | 申请公布日 | 2020-09-18 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 黄忠守;马隆鑫;徐渊;姚浩东;陈志芳 | 申请（专利权）人 | 光微信息科技（合肥）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赢源知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市光微科技有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城10栋1楼102房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置，其包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底内的光电二极管的阵列；叠加电极结构，其设置于该光电二极管阵列的光线入射一侧，包括多层电极和多层绝缘膜和对准光电二极管的可透过红外光的透明区域；以及微透镜阵列，设置于该入射光通孔的光线入射一侧；叠加电极的至少一层电极在通孔边缘往衬底方向延伸和弯折，引导光线进入光电二极管。本申请的结构可以有效防止光线进入多层电极之间造成的横向串扰和光能损失。 |
