一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610055456.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105742189B | 公开（公告）日 | 2019-07-23 |
| 申请公布号 | CN105742189B | 申请公布日 | 2019-07-23 |
| 分类号 | H01L21/34;H01L29/786 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄荣翠 | 申请（专利权）人 | 青岛中微创芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 合肥市科融知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 晋圣智 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心311室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括基板、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其制备方法包括以下步骤：⑴基板清洗；⑵栅介质层制备；⑶沟道层的制备；⑷源电极和漏电极的制备。本发明工艺合理，简单合理，同时制备的氧化物半导体薄膜晶体管对载流子具有良好抑制能力，提高器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，而且，有利于在低温下形成非晶态的薄膜，有利于保证器件制备的一致性、改善通过低温工艺制造的器件的稳定性。 |
