一种IGBT/SiC器件损耗自动检测装置
基本信息
| 申请号 | CN202120524267.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215263832U | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN215263832U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 孙厚强;张高瑞;秦浩楠;李小伟;王知学 | 申请（专利权）人 | 青岛中微创芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张仁杰 |
| 地址 | 266500山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心311室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT/SiC器件损耗自动检测装置，包括依次传递数据的IGBT/SiC器件控制电路模块、驱动模块与IGBT/SiC器件，本实用新型通过IGBT/SiC器件损耗自动检测装置可以实时监控IGBT/SiC功率器件工作状态，提升应用系统运行的安全性及可靠性，大大降低系统工作维护成本，避免由于应用系统故障导致的人身事故及财产损；可有效保护硬件电路安全，降低设备故障率。 |
