半导体辐射检测器
基本信息
| 申请号 | CN201980087442.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113260880A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113260880A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | G01T1/24（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人 | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518071广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本文公开一种辐射检测器（100），其包括：包括第一组电触点（118A）和第二组电触点（118B）的电子器件层（120）；被配置为吸收辐射的辐射吸收层（110）；第一组电极（119A）和第二组电极（119B），其中所述第一组电极（119A）和第二组电极（119B）相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层（110）中；其中所述电子器件层（120）和所述辐射吸收层（110）被结合，使得所述第一组电极（119A）被电连接到所述第一组电触点（118A），并且所述第二组电极（119B）被电连接到所述第二组电触点（118B）。 |
