基于外延层的X射线检测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201980087441.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113302485A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113302485A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | G01N23/223（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人 | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518071广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本文公开一种方法，其包括：在支撑在衬底（411）上的外延层（412）的第一表面（412A）上形成电触点（119B），所述第一表面（412A）与所述衬底（411）相对；将所述外延层（412）键合至电子器件层（120），其中所述第一表面（412A）面向所述电子器件层（120），并且所述第一表面（412A）上的所述电触点（119B）被键合至所述电子器件层（120）的所述电触点（120X）；通过移动所述衬底（411）而暴露与所述第一表面（412A）相对的第二表面（412B）；并且在所述第二表面（412B）上形成公共电极（119A）。 |
