一种半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110792961.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257662B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113257662B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友 | 申请（专利权）人 | 绍兴汉天下微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京允天律师事务所 | 代理人 | 李建航 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层，对第一掩膜层和第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出衬底的凹槽，在凹槽暴露出的衬底以及第二掩膜层上形成金属层，并去除第一掩膜层、第二掩膜层以及第二掩膜层上的金属层，保留凹槽暴露出的衬底上的金属层。由于第一掩膜层和第二掩膜层是采用沉积工艺制作在衬底上的薄膜层，而并不是光刻胶层，因此，即便后续形成金属层的沉积工艺温度过高，也不会对第一掩膜层和第二掩膜层产生影响，即采用沉积工艺形成的第一掩膜层和第二掩膜层对金属层沉积温度要求不高，从而可以降低金属层的沉积难度。 |
