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一种沟槽栅结构半导体整流器及其制造方法

基本信息

申请号	CN201610148516.X	申请日	-
公开（公告）号	CN105810755B	公开（公告）日	2018-09-28
申请公布号	CN105810755B	申请公布日	2018-09-28
分类号	H01L29/872;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/329	分类	基本电气元件;
发明人	刘伟	申请（专利权）人	杭州立昂微电子股份有限公司
代理机构	杭州杭诚专利事务所有限公司	代理人	尉伟敏;胡寅旭
地址	310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种沟槽栅结构半导体整流器，外延层上部设有第一沟槽，第一沟槽内设有导电多晶硅，导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层，隔离层上设有厚度小于隔离层的二氧化硅栅氧层，二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁，介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间区域形成第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区。本发明采用厚隔离层与薄栅氧层结合的沟槽栅结构，具有短沟道和沟道掺杂梯度分布，正向导通特性佳。本发明还公开了一种沟槽栅结构半导体整流器制造方法，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少。