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一种半导体整流器及其制造方法

基本信息

申请号 CN201610148745.1 申请日 -
公开（公告）号 CN105742338B 公开（公告）日 2018-09-28
申请公布号 CN105742338B 申请公布日 2018-09-28
分类号 H01L29/06;H01L29/66;H01L29/861;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 刘伟 申请（专利权）人 杭州立昂微电子股份有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 尉伟敏;胡寅旭
地址 310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体整流器，包括第一导电类型轻掺杂的外延层，外延层上部横向间隔设置有若干第一沟槽，第一沟槽内填充有导电多晶硅，导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层，隔离层向上凸出形成介质墙壁，介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间的区域形成第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区。本发明采用沟槽栅结构，同时具有短沟道和沟道掺杂梯度分布，具有更佳的正向导通特性。本发明还公开了一种半导体整流器制造方法，工艺步骤简单，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少，制造成本低。