一种肖特基势垒二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710272727.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107359208A | 公开（公告）日 | 2017-11-17 |
| 申请公布号 | CN107359208A | 申请公布日 | 2017-11-17 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟 | 申请（专利权）人 | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管，包括第二导电类型掺杂单晶硅衬底，所述衬底上部设有第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区横向间隔设有多个第一沟槽，两相邻的第一沟槽之间形成有迁移区，所述迁移区和第一沟槽的导电层顶部设置有肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层上设置有阳极金属层；所述第一导电类型掺杂区横向还至少设置有一个第二沟槽，所述第二沟槽与迁移区之间间隔有第一沟槽，所述第二沟槽的导电层顶部设置有阴极金属层，所述阴极金属层与阳极金属层相互不连通。另外，本发明还公开了一种肖特基势垒二极管制造方法。采用本发明，提高了产品的性能和可靠性。 |
