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半导体热电堆红外探测器及制造方法

基本信息

申请号 CN201710144113.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107356341A 公开（公告）日 2017-11-17
申请公布号 CN107356341A 申请公布日 2017-11-17
分类号 G01J5/14(2006.01)I;G01J5/12(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 刘伟 申请（专利权）人 杭州立昂微电子股份有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 尉伟敏;阎忠华
地址 310018 浙江省杭州市市辖区下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体热电堆红外探测器及制造方法，包括单晶硅衬底，垂直于单晶硅衬底下表面并向上垂直延伸的若干个柱状的热电偶，所述热电偶包括由第一材料构成的第一实心柱和由第二材料构成的第二实心柱，第一实心柱和第二实心柱平行延伸，第一实心柱和第二实心柱之间设有间隔，第一实心柱和第二实心柱外侧均设有第三介质层；每个热电偶的第一实心柱和第二实心柱的顶部均通过伸出单晶硅衬底上表面的第一金属层电连接，各个第一金属层之间和各个第一金属层之上均设有第一介质层，第一介质层上设有红外线吸收膜。本发明具有易于制造，可靠性好的特点。