一种肖特基势垒二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710171378.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107359207A | 公开（公告）日 | 2017-11-17 |
| 申请公布号 | CN107359207A | 申请公布日 | 2017-11-17 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟 | 申请（专利权）人 | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市市辖区下沙经济技术开发区20号大街199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管，包括:包括至少一个半导体单元，所述半导体单元包括第二导电类型掺杂衬底，在所述衬底的一侧上方同时设置有相互独立的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽顶端开口处设置有金属层，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层；沿所述第一沟槽内壁设置有欧姆接触金属层，沿所述第二沟槽内壁设置有肖特基势垒金属层，所述第一沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阴极金属层接触，所述第二沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阳极金属层接触。另外，本发明还公开了一种肖特基势垒二极管的制造方法。采用本发明，降低了正向导通的压降。 |
