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一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201610060658.0 申请日 -
公开（公告）号 CN105576045B 公开（公告）日 2018-04-17
申请公布号 CN105576045B 申请公布日 2018-04-17
分类号 H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 刘伟 申请（专利权）人 杭州立昂微电子股份有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 尉伟敏
地址 310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种沟槽肖特基势垒二极管，包括有源区和截止区，有源区自上而下依次由阳极金属层、肖特基势垒金属层、第一导电类型轻掺杂的N型外延层、第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底和阴极金属层构成，N型外延层上部设有若干沟槽，沟槽横向间隔设置，肖特基势垒金属层与相邻沟槽之间的N型外延层的顶面形成肖特基势垒接触，沟槽内填充有导电多晶硅，导电多晶硅与沟槽之间设有隔离层，隔离层的内部设有真空气隙，沟槽在有源区和截止区相互连通。该沟槽肖特基势垒二极管具有反向阻断电压高、反向偏压低忽然反向漏电低等优点。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，该方法具有制造方法步骤少，制造成本等优点。