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一种肖特基势垒半导体整流器及其制造方法

基本信息

申请号	CN201610148515.5	申请日	-
公开（公告）号	CN105789334B	公开（公告）日	2018-11-23
申请公布号	CN105789334B	申请公布日	2018-11-23
分类号	H01L29/872;H01L21/329	分类	基本电气元件;
发明人	刘伟	申请（专利权）人	杭州立昂微电子股份有限公司
代理机构	杭州杭诚专利事务所有限公司	代理人	尉伟敏;胡寅旭
地址	310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种肖特基势垒半导体整流器，包括肖特基势垒金属层、外延层及第一沟槽，第一沟槽内设有隔离层及二氧化硅栅氧层，二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁，介质墙壁两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间设有第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与二氧化硅栅氧层之间设有沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及二氧化硅栅氧层之间设有间隔区，第二沟槽中设有第三沟槽，肖特基势垒金属层位于第三沟槽内侧表面与外延层接触形成肖特基势垒。本发明正向导通特性与器件可靠性好。本发明还公开了一种肖特基势垒半导体整流器制造方法，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少，制造成本低。