一种半导体器件顶层金属的终端结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510827026.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105679756B | 公开（公告）日 | 2018-08-10 |
| 申请公布号 | CN105679756B | 申请公布日 | 2018-08-10 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/311;H01L21/82 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张瑞丽 | 申请（专利权）人 | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州宇信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宇娟;代转嫚 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件顶层金属的终端结构，其中半导体器件包括实现半导体器件功能的芯片区域、围绕芯片区域的划片道、从芯片区域延伸至划片道的绝缘介质层，以及顶层金属；其中划片道为沟槽结构，该沟槽在外延层前表面开槽而设置，其沟槽侧壁位于划片道与芯片区域的交界处，即形成了本发明的顶层金属的终端。本发明还公开了一种制造本发明半导体器件顶层金属的终端的方法。本发明所形成的顶层金属的终端结构，其顶层金属的腐蚀界面形貌易控制，能够形成陡峭的腐蚀边界；且该结构设计使得顶层金属光刻和腐蚀的工艺窗口增大；还可以缩小划片道以节约成本；同时晶圆在有效管芯边缘的不完整管芯也能够在探针测试时被筛选出来。 |
