一种半导体元件蚀刻液及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510876027.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105513955B | 公开（公告）日 | 2018-01-12 |
| 申请公布号 | CN105513955B | 申请公布日 | 2018-01-12 |
| 分类号 | H01L21/306 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑春秋 | 申请（专利权）人 | 盛凡知识产权有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇智胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏州鑫德杰电子有限公司;江苏守航实业有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇珠江南路999号3幢B228室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体元件蚀刻液及其制备方法。蚀刻液组分包括：碘、碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、季戊四醇、山梨醇、铵盐、正丁醇、乙醇、维生素C、BHT、山梨酸钾、水。其制备方法为先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌5‑10分钟，得溶液A；将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、铵盐、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌5‑10分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至30‑40℃，搅拌20‑30分钟即得。本发明的蚀刻液蚀刻速度快，精度高，蚀刻均匀性强；且制备方法简单，易控制，易于工业化生产，生产成本低。 |
