一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010110066.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111302806A | 公开（公告）日 | 2020-06-19 |
| 申请公布号 | CN111302806A | 申请公布日 | 2020-06-19 |
| 分类号 | C04B35/581(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 李晨辉;邹阳;胡梁;史玉升;刘江安;吴甲民;贺智勇;张启富 | 申请（专利权）人 | 北京钢研新冶精特科技有限公司 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 华中科技大学;北京钢研新冶精特科技有限公司 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于陶瓷制备领域，并具体公开了一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法。该制备方法具体为：将AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末与有机溶剂混合，并利用湿法球磨工艺进行研磨，以此获得混合浆料；采用蒸馏的方式将混合浆料进行固液分离获得干燥粉末；对干燥粉末进行放电等离子烧结，从而制得IC装备用静电卡盘AlN陶瓷。本发明采用Sm2O3或Y2O3作为烧结助剂，能够保证制得陶瓷中形成一种或多种稀土铝酸盐，从而有效改善其体积电阻率，同时本发明采用的放电等离子烧结工艺能够极大地缩短烧结时间，有效提高AlN陶瓷的相对密度，以此满足IC装备用静电卡盘的基材要求。 |
