一种屏蔽栅功率MOS的器件
基本信息
| 申请号 | CN201821774060.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210092093U | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN210092093U | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李泽宏;吴玉舟;王为;谢驰 | 申请（专利权）人 | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人 | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 地址 | 550000 贵州省贵阳市市辖区国家高新技术产业开发区贵阳国家高新区金阳科技产业园标准厂房附1号1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出的一种屏蔽栅功率MOS的器件，在沟槽底部淀积的屏蔽栅采用不掺杂的多晶硅，同时其电位设置为浮空，不与源极电位相连，有效降低栅源电容。屏蔽栅结构保证功率MOS漂移区的电荷平衡效应降低导通电阻、提高击穿电压，同时利用不掺杂多晶硅的半绝缘性调制耐压时漂移区的电势线分布更为均匀，从而使得本实用新型结构具有比传统屏蔽栅功率MOS更高的击穿电压。 |
