一种新型屏蔽栅功率MOS的器件
基本信息
| 申请号 | CN201821774123.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209626226U | 公开（公告）日 | 2019-11-12 |
| 申请公布号 | CN209626226U | 申请公布日 | 2019-11-12 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L29/49（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L23/552（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李泽宏; 吴玉舟; 王为; 谢驰 | 申请（专利权）人 | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人 | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 地址 | 550000 贵州省贵阳市市辖区国家高新技术产业开发区贵阳国家高新区金阳科技产业园标准厂房附1号1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出的一种新型屏蔽栅功率MOS器件，采用不掺杂多晶硅屏蔽栅，该屏蔽栅电位浮空不与源极相连，且栅极与屏蔽栅间无层间氧化层。本实用新型提出的浮空不掺杂多晶硅屏蔽栅结构，在保持与传统屏蔽栅结构相似的低的密勒电容的同时，显著提高器件的击穿电压，降低正向导通电阻，显著降低了栅源电容，即减小了器件的输入电容。此外由于重掺杂多晶硅栅极和不掺杂多晶硅屏蔽栅之间无层间氧化层，提高了栅氧可靠性，同时使得本实用新型的屏蔽栅功率MOS器件制造完沟槽后可直接热生长栅氧化层，省去了原有传统屏蔽栅功率MOS制造屏蔽栅和形成栅极结构的工艺流程，简化了工艺复杂程度。 |
