与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法

基本信息

申请号	CN202010635339.4	申请日	-
公开（公告）号	CN111799224A	公开（公告）日	2020-10-20
申请公布号	CN111799224A	申请公布日	2020-10-20
分类号	H01L21/8238(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	殷万军;钟怡;刘玉奎;朱坤峰;桂林;梁康弟;裴颖;李光波;谭开州;刘青;钱呈	申请（专利权）人	重庆中科渝芯电子有限公司
代理机构	重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	重庆中科渝芯电子有限公司
地址	401332重庆市沙坪坝区西园二路98号
法律状态	-

摘要

本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。