一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件
基本信息
| 申请号 | CN201910805724.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110504308B | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN110504308B | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏杰;黄俊岳;马臻;王晨霞;鲁娟;郗路凡;宋旭;罗小蓉;杨永辉;朱坤峰 | 申请（专利权）人 | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙一峰 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新西区西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件。相对与传统结构，本发明在发射极端与集电极端均引入多个槽栅结构。正向导通时，集电极端槽栅侧壁沟道关断，N+集电区与N型缓冲层连通路径被阻断，因而可消除电压折回效应。发射极端槽栅结构不仅增加沟道密度以降低沟道区电阻，而且阻挡槽栅和载流子存储层可有效提高漂移区载流子浓度，因此新器件可获得更低的正向导通压降。关断过程中，随着集电极电压升高，集电极端槽栅侧壁沟道开启，使N+集电区与N型缓冲层连通而形成电子快速抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。因此，本发明具有更小的正向导通压降和关断损耗，而且没有电压折回效应。 |
