一种集成整流器的平面MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110336377.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257917A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257917A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖添;李孝权;刘勇;胡镜影;杨婵;王盛;谭磊;王飞;冉明 | 申请（专利权）人 | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王翔 |
| 地址 | 401332重庆市沙坪坝区西园二路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种集成整流器的平面MOSFET及其制造方法，平面MOSFET包括第一导电类型外延层（1）、隔离环（2）、厚氧化层（3）、第一阱区（4）、第一源区（5）、栅氧层（6）、多晶电极层（7）、介质层（8）、第二阱区（9）、金属层（10）；方法包括分别形成第一导电类型外延层（1）、隔离环（2）、厚氧化层（3）、第一阱区（4）、第一源区（5）、栅氧层（6）、多晶电极层（7）、介质层（8）、第二阱区（9）、金属层（10）的步骤。本发明相比于现有集成肖特基二极管，其体二极管正向压降更低，并且具有更好的高温工作特性。 |
