一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法

基本信息

申请号	CN202010884582.X	申请日	-
公开（公告）号	CN112071757A	公开（公告）日	2020-12-11
申请公布号	CN112071757A	申请公布日	2020-12-11
分类号	H01L21/331(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健	申请（专利权）人	重庆中科渝芯电子有限公司
代理机构	重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
地址	401332重庆市沙坪坝区西园二路98号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。