一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010582154.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933694A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933694A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘建;税国华;林涛;欧红旗;冯志成;阚玲;刘青;朱坤峰;黄磊;王飞;张剑乔;张培健 | 申请（专利权）人 | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 地址 | 401332重庆市沙坪坝区西园二路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。 |
