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一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法

基本信息

申请号 CN201710767049.3 申请日 -
公开（公告）号 CN107742607B 公开（公告）日 2021-05-11
申请公布号 CN107742607B 申请公布日 2021-05-11
分类号 H01L21/306;H01L21/308;H01L23/64 分类 基本电气元件;
发明人 郭亿文;冉明;王学毅;王飞;崔伟 申请（专利权）人 重庆中科渝芯电子有限公司
代理机构 重庆大学专利中心 代理人 王翔
地址 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤：1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层和掩蔽层，形成电阻图形。4)在所述电阻图形上淀积一层介质层。利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层，保留端头介质层。5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层上多余的掩蔽层，保留端头介质层保护下的掩蔽层。6)在电阻图形上淀积隔离层，并在电阻端头刻蚀形成连接孔。7)淀积金属层，填充连接孔，引出电阻。