低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件专利查询专利号|摘要-满商公司网

低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件

基本信息

申请号	CN202110591089.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113380799A	公开（公告）日	2021-09-10
申请公布号	CN113380799A	申请公布日	2021-09-10
分类号	H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	殷万军;刘玉奎;崔伟;桂林;梁康弟;谭开州;裴颖	申请（专利权）人	重庆中科渝芯电子有限公司
代理机构	重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王翔
地址	401332重庆市沙坪坝区西园二路98号
法律状态	-

摘要

本发明公开低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件。方法步骤：1）形成低缺陷密度高压N型阱和低压N型阱；2）形成自对准P型阱；3）兼容高低压兼容厚薄栅氧结构；4）兼容多层金属互连结构；器件包括衬底、高压N型阱、低压N型阱、自对准P型阱、LOCOS场氧化层、低压MOS薄栅氧化层、栅多晶层、P型MOS轻掺杂源漏注入区、侧壁保护层、P型MOS源漏注入区、多晶层、氧氮介质层、N型MOS源漏注入区、高压MOS厚栅氧化层、栅多晶层顶层氧氮介质保护层、硅/多晶硅‑金属层M1间接触孔、硅/多晶硅/场氧‑金属层M1层间ILD介质平坦化层等。本发明实现了精细控制高压阱区的位错缺陷密度，有效抑制高压阱区隔离PN结反向偏置漏电。