一种串联IGBT均压控制电路及方法

基本信息

申请号 CN202110015794.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112817363A 公开(公告)日 2021-05-18
申请公布号 CN112817363A 申请公布日 2021-05-18
分类号 G05F1/573 分类 控制;调节;
发明人 颜云岭;王鹏程;王成瑞;吴国栋;李作才;裴杰;曹传钊;曹曦 申请(专利权)人 华能泰山新能源有限公司
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 崔方方
地址 102209 北京市昌平区北七家镇未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种串联IGBT均压控制电路及方法,属于电力电子技术领域。该电路通过在T1管的集电极和栅极间串入二极管D1、电阻R2、Ts管、电阻Rs、电容Cs、电阻R1、电容C1,实现了具有三阶段控制的均压电路。第一、三阶段具有斜率控制,抑制VCG电压上升太快,第二阶段具有峰值钳位作用。具有斜率控制作用的电路,由电容Cs、Ts管、电容C1实现;具有峰值控制作用的电路,由Ts管实现。二极管D1抑制反向电流,防止栅极电流流入钳位电路影响驱动;电阻R2起限流作用,防止均压支路电流过大;电阻Rs用于防止Ts管误导通;电容Cs起到增大Ts管米勒电容的作用;电阻R1是电容Ca的放电电阻。