具有大表面积闸极的VMOSFET芯片
基本信息
| 申请号 | CN201620536646.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205680677U | 公开（公告）日 | 2016-11-09 |
| 申请公布号 | CN205680677U | 申请公布日 | 2016-11-09 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张崇健;费龙庆 | 申请（专利权）人 | 江西联顺半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇智英财专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴怀权 |
| 地址 | 美国加州费利蒙市企业街4450号101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有大表面积闸极的VMOSFET芯片，包括：一芯片本体；其中该VMOSFET芯片的源极与门极配置在该芯片本体的上方，而该VMOSFET芯片的汲极则配置在下方；其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得导线可以很容易地安装到该闸极上。本实用新型将该闸极的面积尽量的加大，以利于半导体封装时的施工作业，因此可以节省人工成本。 |
