一种具有TSV结构的MEMS芯片
基本信息
| 申请号 | CN201921987347.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211004545U | 公开（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申请公布号 | CN211004545U | 申请公布日 | 2020-07-14 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 华亚平 | 申请（专利权）人 | 安徽芯动联科微系统股份有限公司 |
| 代理机构 | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 |
| 地址 | 233042安徽省蚌埠市财院路10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于芯片封装的技术领域，公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的，MEMS芯片体积小，方便MEMS结构的设计。 |
