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一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片

基本信息

申请号	CN201821364288.0	申请日	-
公开（公告）号	CN208898497U	公开（公告）日	2019-05-24
申请公布号	CN208898497U	申请公布日	2019-05-24
分类号	B81B7/00（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	华亚平	申请（专利权）人	安徽芯动联科微系统股份有限公司
代理机构	蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司	代理人	安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
地址	233042 安徽省蚌埠市财院路10号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片，由第一MEMS芯片和应力缓冲结构构成，应力缓冲结构通过中心埋氧与第一MEMS芯片的底板连接，所述的应力缓冲结构由连接区、应力缓冲弹簧和外框构成，应力缓冲弹簧位于外框和连接区之间，连接区的投影面积占第一MEMS芯片投影面积的1/10～1/3，应力缓冲结构上均布有释放孔，应力缓冲结构的外框边缘位于第一MEMS芯片边缘的投影区内，应力缓冲结构的横截面面积小于第一MEMS芯片的横截面面积。本实用新型制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。