ZnO衬底外延结构及其制作方法、ZnO衬底芯片结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

ZnO衬底外延结构及其制作方法、ZnO衬底芯片结构

基本信息

申请号	CN201110414223.9	申请日	-
公开（公告）号	CN102522469B	公开（公告）日	2014-06-11
申请公布号	CN102522469B	申请公布日	2014-06-11
分类号	H01L33/06(2010.01)I;H01L33/28(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	汪英杰;吉爱华;王凯敏	申请（专利权）人	内蒙古华延芯光科技有限公司
代理机构	潍坊正信专利事务所	代理人	内蒙古华延芯光科技有限公司
地址	017400 内蒙古自治区鄂尔多斯市杭锦旗锡尼镇阿斯尔大街10号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种ZnO衬底外延结构及其制作方法，以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In_0.49Ga_0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。本发明的ZnO衬底外延结构及芯片结构不用涂覆荧光粉，因此从根本上摆脱了荧光粉的束缚，发光质量好、显色性好、提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使从白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。