一种多晶硅还原炉电极结构

基本信息

申请号 CN202021562548.2 申请日 -
公开(公告)号 CN213141423U 公开(公告)日 2021-05-07
申请公布号 CN213141423U 申请公布日 2021-05-07
分类号 C01B33/035(2006.01)I 分类 -
发明人 陈绍林;甘居富;刘逸枫;周鹏;刘斌;王亚萍;杨楠;贾琳蔚 申请(专利权)人 云南通威高纯晶硅有限公司
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 代理人 赵丽
地址 678100云南省保山市工贸园区昌宁园中园
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极结构,属于多晶硅生产技术领域,包括电极体,所述电极体安装在还原炉底盘内,所述电极体和还原炉底盘之间设有的电极绝缘套,所述电极体还套接有绝缘环,所述绝缘环设置在电极绝缘套上方,所述绝缘环的内径比电极体的外径大0.03‑0.6mm,可以解决还原炉在生产过程中,炉内硅粉随气流流动并沉积在电极、绝缘环及底盘表面,易造成电极与底盘之间形成电气短路,影响还原炉正常生产,以及增加隔热罩成本高,易带入杂质的问题。