一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810144597.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108336147B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN108336147B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/34 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔金益 | 申请（专利权）人 | 泰州巨纳新能源有限公司 |
| 代理机构 | 长沙正务联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郑隽;吴婷 |
| 地址 | 225300 江苏省泰州市凤凰西路168号5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于硅上绝缘层衬底上二硫化钼（MoS2）场效应晶体管的制备方法，该二硫化钼（MoS2）场效应晶体管结构包括二硫化钼沟道层、源极金属接触层、漏极金属接触层、源极金属通孔电极、漏极金属通孔电极、栅极介质层、栅极金属层、栅极金属凸块、源极金属凸块、漏极金属凸块、沟道区开口；通过使用硅上绝缘层衬底和晶圆键合使二硫化钼封闭在器件内部，提高器件的质量和可靠性；形成开口，减少器件的寄生电容提高器件性能。 |
