MRAM与其的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710526108.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109216538B | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN109216538B | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I;G11C11/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王雷;刘鲁萍 | 申请（专利权）人 | 中电海康集团有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种MRAM与其的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上设置金属导线层；步骤S3，在金属导线层的远离衬底的表面上设置介电层；步骤S4，采用双大马士革工艺形成多个间隔的通孔，通孔包括第一部分与第二部分，第二部分的深度小于第一部分的深度，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；步骤S5，在各通孔中填充底电极材料，形成底电极，底电极的远离衬底的表面与介电层的远离衬底的表面在同一个平面上，底电极材料为非铜的导电材料。该方法避免了先在通孔中填充铜，然后再在铜上设置底电极的两步工艺，且由于不设置Cu，避免了由于Cu的硬度较低而导致不能形成较平整的表面的问题。 |
