一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法

基本信息

申请号 CN201410155592.4 申请日 -
公开(公告)号 CN103966657B 公开(公告)日 2017-04-19
申请公布号 CN103966657B 申请公布日 2017-04-19
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李帅;赵百通;高文秀 申请(专利权)人 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
代理机构 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 金碎平
地址 214222 江苏省无锡市宜兴经济开放区文庄路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法,所述铸锭炉包括石英坩埚,其中,所述石英坩埚的外侧设有第一感应加热器,底部设有第二感应加热器,顶部设有第三感应加热器,所述石英坩埚外设有石墨坩埚,所述石英坩埚和石墨坩埚之间设有隔热层,所述第一感应加热器围绕设置在石墨坩埚的外侧。本发明提供的多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法,通过采用双层坩埚并在不同方位设置多个感应加热器,利用螺旋线圈产生交变磁场在多晶硅原料和溶液内产生涡旋电流,由于感应线圈处在高温热区之外,加热时热损耗较少;通过对感应加热器的线圈排布进行优化设计,在炉内实现精准的定向温度梯度,更好地控制长晶方向并进行快速的定向凝固。