一种负压式硅片制作设备及其控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201510166783.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104818529B | 公开（公告）日 | 2017-04-19 |
| 申请公布号 | CN104818529B | 申请公布日 | 2017-04-19 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 金碎平;袁亚军 |
| 地址 | 214213 江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种负压式硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有用于盛放硅液的坩埚，所述坩埚的外侧周围设有加热器，所述坩埚的上方设有硅片提取单元，所述硅片提取单元包括可一起上下移动的冷却腔和扩容减压室，所述冷却腔伸入到扩容减压室中，所述扩容减压室的上端封闭，下端开口并在开口处设有耐温挂件，所述耐温挂件围绕在冷却腔的周围并伸出冷却腔的底部，所述冷却腔的外壁、扩容减压室的内壁以及硅液之间可形成密闭负压腔，所述炉体上设有硅片承接板，所述硅片承接板上设有高频感应线圈。本发明可实现由硅熔液直接形成硅片的过程，硅片厚度薄，重复性好，大大节省了硅材料及单个硅片的能耗，并降低硅太阳能电池成本。 |
