采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201510165541.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104726932B | 公开（公告）日 | 2017-06-06 |
| 申请公布号 | CN104726932B | 申请公布日 | 2017-06-06 |
| 分类号 | C30B28/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 金碎平;袁亚军 |
| 地址 | 214213 江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法，所述硅片制作设备包括炉体，所述炉体内设有用于盛放熔融硅液的石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，其中，所述石英坩埚的上方设有相变蓄热块，所述相变蓄热块的两侧对称设有片状矩形籽晶和籽晶夹板，所述片状矩形籽晶固定在与升降机构相连的籽晶夹持器上。本发明提供的采用籽晶引导的硅片制作设备及其控制方法，通过采用相变蓄热块吸收硅液面热量，硅片直接形成于硅液表面，由籽晶夹板挤压硅片脱离籽晶，安全可靠，温度恒定，生长硅片的晶向可控，位错少，籽晶引导生长速率块，能够极大的节省硅材料并降低单个硅片的能耗。 |
