采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法
基本信息
| 申请号 | CN201510145846.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104746134B | 公开（公告）日 | 2017-08-22 |
| 申请公布号 | CN104746134B | 申请公布日 | 2017-08-22 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 金碎平 |
| 地址 | 214213 江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法，包括如下步骤：a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中，加热熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒；c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室，关闭主加热腔室与副腔室闸板，并向副腔室冲入氩气，对单晶硅棒进行冷却。本发明通过选用含有磷和硼的n型多晶硅原料，无需再添加额外的n型或p型掺杂剂，降低太阳能电池成本；并且由于硅液中同时含有大量的磷和硼，一定含量的硼的分凝，对于磷的小的分凝系数所造成的电阻率分布梯度大，起到一定的补偿的作用，从而使得n型单晶硅片的电阻率分布更加集中均匀。 |
