采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201510167500.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104805500B | 公开（公告）日 | 2017-04-19 |
| 申请公布号 | CN104805500B | 申请公布日 | 2017-04-19 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 金碎平;袁亚军 |
| 地址 | 214213 江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，上方设有薄石英管，所述薄石英管的一端开口向下，另一端固定在夹持器上，所述夹持器和驱动电机相连并可带动薄石英管一起旋转升降，所述薄石英管内设有气冷腔，所述气冷腔中通有冷却气体，所述气冷腔的底部设有微细气孔且位于薄石英管开口端的上方，所述薄石英管的一侧设有激光切割器，另一侧设有硅片承接板。本发明采用薄石英管作为硅片成型限边，由气冷腔底端的微细气孔喷出的氧化气流接触硅液面，形成具有氧化层的硅片并直接采用激光切割，从而避免浪费硅料，并可有效缓解硅片应力，避免硅片晶向错位。 |
