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单晶硅铸锭的制造工艺和铸锭炉热场结构

基本信息

申请号 CN201110283625.X 申请日 -
公开（公告）号 CN102330143B 公开（公告）日 2013-10-02
申请公布号 CN102330143B 申请公布日 2013-10-02
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 金越顺;朱卫峰;卫国军;袁华均;傅建根 申请（专利权）人 浙江精功新能源有限公司
代理机构 绍兴市越兴专利事务所 代理人 蒋卫东
地址 312030 浙江省绍兴市绍兴县柯桥经济开发区鉴湖西路1809号
法律状态 -

摘要

摘要 单晶硅铸锭的制造工艺包括下述步骤：先在石英坩埚底部铺洒一层籽晶，上面放置多晶硅原料，并加热熔化；然后缓慢提升隔热笼，让热量从下面的热交换台散发出去，固液临界面的高度逐步上移，硅料向上长晶，最终形成固态单晶硅铸锭；保温隔热环条在加热、长晶过程中处于零位，在退火与冷却阶段则向下移动。单晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体，石英坩埚、顶部提升装置，隔热笼，加热装置，保温材料，交换台，底部提升装置；本发明的特点是：控制隔热笼的提升速度来完成硅材料长晶，通过升降保温隔热环条来保护固态籽晶和确保整个铸锭均匀退火。优点是：获得大容量的单晶硅铸锭，既增加了单晶硅单锭产量，又提高了硅片的光电转化效率。