绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210117032.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156180A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156180A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡钰祺 | 申请（专利权）人 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极型晶体管的制造方法包括：提供一衬底，形成沟槽于所述衬底中；形成掺杂层于所述沟槽底部；执行退火工艺，使得所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中，以形成包围所述沟槽底部的少子存储层；去除所述掺杂层；形成栅极结构于所述沟槽中；以及，形成体区于所述沟槽两侧的衬底顶部，所述体区与所述少子存储层之间间隔所述衬底。本发明的技术方案能够减小对阈值电压的影响且降低成本。 |
