SiC基欧姆接触结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110731269.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113178384B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN113178384B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李翔;谢志平;丛茂杰;阚志国 | 申请（专利权）人 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种SiC基欧姆接触结构及其制造方法，在对所述SiC基材区进行离子掺杂以形成离子掺杂区之后且在进行退火处理以激活所述离子掺杂区中的掺杂离子之前，先在所述衬底上形成具有第一开口的保护层，所述第一开口暴露出所述离子掺杂区的至少部分顶面，由此，在该保护层的掩蔽作用下，在退火处理过程中激活所述离子掺杂区中的掺杂离子，并使得所述第一开口暴露出的离子掺杂区的顶面因发生SiC升华而变为粗糙顶面，从而在沉积金属层并再次退火后而形成SiC基欧姆接触时，可以利用粗糙顶面而提高金属与离子掺杂区之间的结合性能，进而使得SiC基欧姆接触具有更低的接触电阻，从而提高器件性能。 |
