一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法

基本信息

申请号 CN202011595840.9 申请日 -
公开(公告)号 CN114093759A 公开(公告)日 2022-02-25
申请公布号 CN114093759A 申请公布日 2022-02-25
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 袁家贵;何云;刘长灵;王登 申请(专利权)人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
代理机构 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 代理人 邓爱民
地址 312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法,该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后,先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层,然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层,即:先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层,再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层,然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层;去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后,在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构,简化了工艺环节,显著降低了制造成本,通过合理的平坦化工艺设计消除了对硅表面造成的损伤。