一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法
基本信息
申请号 | CN202011595840.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114093759A | 公开(公告)日 | 2022-02-25 |
申请公布号 | CN114093759A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 袁家贵;何云;刘长灵;王登 | 申请(专利权)人 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
代理机构 | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 邓爱民 |
地址 | 312000浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法,该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后,先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层,然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层,即:先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层,再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层,然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层;去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后,在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构,简化了工艺环节,显著降低了制造成本,通过合理的平坦化工艺设计消除了对硅表面造成的损伤。 |
