屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202210143978.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188410A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188410A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周振强 | 申请（专利权）人 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹廷廷 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，在屏蔽栅的两侧设置浮空栅，使得没有大面积的屏蔽栅与漂移区直接通过介质层组成电容，在相同耐压、相同导通电阻下，漏源电容可以做得更小，降低了开关损耗，提高了器件的效率。进一步的，本发明中屏蔽栅底部与顶部相对于浮空栅有适当长度的外露，在相同偏压下，将设置浮空栅对漂移区耗尽效果的影响降到更低，减小了对器件耐压性能影响。 |
