DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法
基本信息
| 申请号 | CN202111119413.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113950193A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113950193A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H05K3/00（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 陈天华;贺贤汉;周轶靓;徐节召;阳强俊;戴洪兴 | 申请（专利权）人 | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 200444上海市宝山区山连路181号3幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法，包括：A、菲林图形设计：包括位于中心的圆形非曝光圈以及环形设置在该圆形非曝光圈外的多个环形圈。每个环形圈由交替设置的扇形非曝光区域和扇形曝光区域组成；外层环形圈中的扇形非曝光区域的中心位于内层环形圈中扇形非曝光区域侧边延长线上；环形圈与圆形非曝光圈之间，相邻两个环形圈之间的区域为曝光区域；B、沉孔加工：图形设计完毕后，先进行显影去除曝光区域，而后蚀刻去除非曝光区域，得到圆形半腐蚀沉孔。根据本发明方法制成的沉孔弧面光滑，与底部垂直，且尺寸精确，满足了后道封装时焊接要求。 |
