陶瓷基板图形化方法
基本信息
| 申请号 | CN202110941555.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113777886A | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN113777886A | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | G03F7/16（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I;G03F7/32（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;H05K3/06（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 管鹏飞;贺贤汉;葛荘;王斌 | 申请（专利权）人 | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 200444上海市宝山区山连路181号3幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种陶瓷基板图形化方法，包括：A、基板表面处理，去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；B、旋转匀胶，滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；C、软烘，在115±1℃条件下烘干100～150s，去除多余溶液；D、第一面曝光，将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10‑50mW/cm，光刻时间1‑20s，提高曝光精度；E、第二面对位曝光，将第二面向上光刻曝光，CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，开槽的宽度为曝光mark点的1.5‑3倍；F、显影及硬烘。 |
