一种氧化铌平面靶材的制备方法及氧化铌平面靶材专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种氧化铌平面靶材的制备方法及氧化铌平面靶材

基本信息

申请号	CN201510398196.9	申请日	-
公开（公告）号	CN104973864A	公开（公告）日	2015-10-14
申请公布号	CN104973864A	申请公布日	2015-10-14
分类号	C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	张士察;孙振德	申请（专利权）人	北京冶科纳米科技有限公司
代理机构	北京英特普罗知识产权代理有限公司	代理人	齐永红
地址	101100 北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氧化铌平面靶材的制备方法，其步骤包括：1)粉体制备：将氧化铌粉体和金属铌粉体混合均匀并将粉体混合物的粒径研磨至50-200nm；2)粉体煅烧：对步骤1)中细磨后的粉体混合物进行真空煅烧；3)造粒：对步骤2)中煅烧后的粉体混合物进行造粒处理以及干燥处理；4)成型：将步骤3)中干燥后的粉体于20-70MPa下预成型，随后将预成型的坯体于200-300MPa下冷等静压成型；5)气氛烧结：将步骤4)中冷等静压成型得到的素坯于气氛烧结炉中进行气氛烧结处理；6)靶坯精加工：将步骤5)中经烧结处理后的靶坯冷却至室温后，按所需尺寸对靶坯进行精加工，即得所述氧化铌平面靶材。本发明的制备方法具有制备工艺简单，生产效率高的特点。