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一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺及氧化钨靶材

基本信息

申请号 CN201710218606.6 申请日 -
公开（公告）号 CN106977202A 公开（公告）日 2017-07-25
申请公布号 CN106977202A 申请公布日 2017-07-25
分类号 C04B35/495;C04B35/634;C04B35/64 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 张士察;孙振德 申请（专利权）人 北京冶科纳米科技有限公司
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人 北京冶科纳米科技有限公司
地址 101100 北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺，其制备步骤包括：1)压块：将氧化钨原料粉体以模压机或冷等静压机压制成板状块体；2)煅烧：将步骤1)中制得块体置于氧气氛炉中进行煅烧处理；3)破碎：对步骤2)中经煅烧后的块体进行破碎处理，且破碎后的粉料过50‑200目筛；4)造粒压坯：向步骤3)中经破碎处理后的粉料中加入成型剂，混合均匀后放入模具中利用模压机压制得到素坯；5)烧结：将步骤4)中得到的素坯放入氧气氛烧结炉中进行烧结处理得到所述的氧化钨靶材。本发明的氧化钨靶材，具有高纯度、低密度、以及开孔结构的特点，可适用于制备高质量的氧化钨电致变色薄膜。