一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板
基本信息
| 申请号 | CN201721670812.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207834281U | 公开（公告）日 | 2018-09-07 |
| 申请公布号 | CN207834281U | 申请公布日 | 2018-09-07 |
| 分类号 | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/14;H01L23/38 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈锋;杨博 | 申请（专利权）人 | 西安创正新材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710300 陕西省西安市沣京工业园创业基地3号楼1层西户 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述IGBT基板包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层（2），所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层（1），所述焊接面、AlSiC层（1）和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片（5），所述半导体制冷片（5）的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。本实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。 |
